BSZ0909NDXTMA1

功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

制造商:infineon technologies

系列:OptiMOS??

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):360pF @ 15V

功率 - 最大值:17W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:PG-WISON-8

标准包装:1

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